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ASML最強(qiáng)EUV碰壁！ 臺積電喊「太貴」真實盤算曝光
- 臺積電在2026年北美技術(shù)論壇指出，2029年底沒有計劃導(dǎo)入艾司摩爾（ASML）最先進(jìn)的微影設(shè)備，此消息沖擊ASML股價跌逾1%，臺積電ADR大幅上漲逾5%，顯示投資人對臺積電以較低成本推進(jìn)技術(shù)的策略給予正面評價。根據(jù)《路透》報導(dǎo)，臺積電并未規(guī)劃在2029年前采用ASML最新一代高數(shù)值孔徑極紫外光微影設(shè)備（High-NA EUV）投入芯片量產(chǎn)，主因在于該設(shè)備成本極為高昂。臺積電暫緩導(dǎo)入新設(shè)備 成本高昂是關(guān)鍵臺積電副共同營運長張曉強(qiáng)直言，ASML新世代High-NA EUV設(shè)備價格「非常、非常昂貴」，該設(shè)備
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EUV光刻機(jī)將成為算力擴(kuò)張的下一個瓶頸
- 隨著AI投資狂潮席卷科技行業(yè)，真正限制算力擴(kuò)張的環(huán)節(jié)在哪里？半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)SemiAnalysis創(chuàng)始人給出的答案是：瓶頸一直在變。SemiAnalysis是一家近年來在科技和投資圈迅速走紅的半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)，其研究廣泛被AI公司、云計算廠商以及對沖基金使用。近日，在一次播客訪談中，SemiAnalysis創(chuàng)始人Dylan Patel系統(tǒng)解釋了AI算力擴(kuò)張背后的供應(yīng)鏈邏輯。他指出，過去幾年AI算力的限制因素不斷變化，就像打地鼠一樣，一個瓶頸被解決，新的瓶頸就會出現(xiàn)。算力擴(kuò)張的瓶頸不斷變化Dylan Pate
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阿斯麥宣布裁員 1700 名管理人員七周后，員工仍不知情
- 荷蘭芯片設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）希望在 4 月 1 日前獲得工會批準(zhǔn)。在這家荷蘭芯片設(shè)備巨頭宣布計劃裁減 1700 個管理崗位七周后，其員工仍不清楚自己是否會丟掉工作。此次裁員發(fā)生在阿斯麥創(chuàng)下 327 億歐元年度營收紀(jì)錄的背景下。裁員目標(biāo)為阿斯麥技術(shù)與 IT 部門的管理崗位，其中荷蘭 1400 個、美國 300 個，約占公司全球員工總數(shù)的 4%。阿斯麥一名發(fā)言人向荷蘭廣播公司 Omroep Brabant 表示，長期的不確定性已引發(fā)內(nèi)部不安?！皢T工們完全不知道自己處境如何。他們都在問‘這對我意味著什么
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IMEC研發(fā)新型曝光后烘烤工藝，提速EUV設(shè)備并提升先進(jìn)芯片產(chǎn)能
- 比利時微電子研究中心（imec）證實，在極紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）環(huán)節(jié)，將氧濃度提升至大氣水平以上，可顯著提高金屬氧化物光刻膠（MOR）的感光速度。感光速度加快意味著光刻膠能以更低的 EUV 曝光劑量達(dá)到目標(biāo)圖形尺寸，這將直接提升 EUV 光刻機(jī)的產(chǎn)能，并降低曝光工序成本。此前，行業(yè)并未將曝光后烘烤腔室的氣體成分作為 EUV 光刻的重要優(yōu)化方向，因此該研究成果具有重要意義，但其產(chǎn)業(yè)化前景仍有待觀察。imec 的科研人員發(fā)現(xiàn)，在 EUV 曝光后烘烤環(huán)節(jié)，將氧濃度從空氣環(huán)境中的 21% 提升至
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氣體控制技術(shù)提升極紫外光刻（EUV）晶圓產(chǎn)能
- 比利時微電子研究中心（imec）證實，在極紫外光刻（EUV）曝光后的關(guān)鍵步驟中，對氣體成分進(jìn)行精準(zhǔn)控制，可最大限度降低所需曝光劑量，進(jìn)而顯著提升晶圓產(chǎn)能。具體而言，當(dāng)極紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure bake）步驟在高氧濃度環(huán)境下進(jìn)行時，金屬氧化物光刻膠（MORs）的劑量響應(yīng)性能得到了顯著改善。金屬氧化物光刻膠的技術(shù)優(yōu)勢金屬氧化物光刻膠（MORs）已成為先進(jìn)極紫外光刻應(yīng)用的核心候選材料，相較于化學(xué)放大光刻膠（CARs），它具備更高的分辨率、更低的線邊緣粗糙度，以及更優(yōu)異的 “劑量 - 尺寸
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阿斯麥ASML公布EUV光源技術(shù)突破，2030年芯片產(chǎn)能或提升50%
- 2 月 23 日消息，據(jù)路透社今日報道，阿斯麥（ASML）的研究人員表示，他們已找到提升關(guān)鍵芯片制造設(shè)備光源功率的方法，到 2030 年可將芯片產(chǎn)量提高多達(dá) 50%。阿斯麥極紫外（EUV）光源首席技術(shù)官邁克爾?珀維斯（Michael Purvis）在接受采訪時表示：“這不是花拳繡腿，也不是那種只能在極短時間內(nèi)演示可行的東西，這是一個能在客戶實際生產(chǎn)環(huán)境的所有相同要求下，穩(wěn)定輸出 1000 瓦功率的系統(tǒng)?！眻蟮婪Q，隨著周一公布的這一技術(shù)進(jìn)步，阿斯麥旨在通過改進(jìn)光刻機(jī)中技術(shù)難度最高的部分，進(jìn)一步拉開與所有潛在
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阿斯麥將極紫外光刻機(jī)光源功率提升至1000瓦，助力提升芯片良率、降低制造成本
- 阿斯麥（ASML）宣布將極紫外光刻（EUV）設(shè)備的核心光源功率提升至1000 瓦，這一技術(shù)突破將直接推動先進(jìn)制程芯片的生產(chǎn)良率提升，同時有效降低單顆芯片的制造成本，成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一重要技術(shù)進(jìn)展。在極紫外光刻技術(shù)中，光源功率是決定光刻機(jī)生產(chǎn)效率與芯片良率的核心指標(biāo)之一。更高的光源功率能夠讓光刻機(jī)在晶圓曝光過程中，實現(xiàn)更快的光刻速度與更穩(wěn)定的圖案轉(zhuǎn)移效果：一方面，更高的功率可縮短單晶圓的曝光時間，提升光刻機(jī)的單位時間產(chǎn)能；另一方面，穩(wěn)定的高功率光源能減少光刻過程中的圖案偏差、線寬不均勻等問題，大幅
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國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起
- 據(jù)《日經(jīng)亞洲》報道，日本研究機(jī)構(gòu)Global Net數(shù)據(jù)顯示，2025年全球芯片設(shè)備廠商前20強(qiáng)中有3家中國企業(yè)，較2022年美國出口限制前新增2家。這三家公司分別是北方華創(chuàng)、中微公司和上海微電子。值得注意的是，若將范圍擴(kuò)大至排名前30名的企業(yè)，還將新增兩家中國企業(yè)：盛美上海和華海清科。北方華創(chuàng)、中微、上海微、盛美上海、華海清科上榜TOP30這一變化既展現(xiàn)了國產(chǎn)設(shè)備凸顯群體崛起態(tài)勢，也印證了美國出口管制未達(dá)遏制目的，反而倒逼中國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈自主化加速，激發(fā)了本土產(chǎn)業(yè)韌性。北方華創(chuàng)具體排名中，北方華創(chuàng)的排名
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ASML計劃裁員4%，簡化技術(shù)部門內(nèi)的決策流程
- 全球最大的先進(jìn)芯片荷蘭制造商ASML在公布其銷售額連續(xù)第十三年實現(xiàn)增長后，CEO克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在聲明中表示，計劃裁減約1700個工作崗位，作為其技術(shù)和IT運營重組的一部分。此次裁員人員主要涉及管理層，人數(shù)約占員工總數(shù)的4%，大部分裁員將在荷蘭進(jìn)行，美國也有部分職位被裁減。ASML表示，一些領(lǐng)導(dǎo)職位可能不再需要，同時將創(chuàng)建新的工程職位以支持正在進(jìn)行和未來的項目?！半m然這將使一些受影響的同事能夠轉(zhuǎn)移到新的崗位，但我們必須承認(rèn)，有些人將因此離開阿斯麥公司”。此舉旨在加強(qiáng)
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三星首次引入紫外層薄膜是在美國泰勒工廠
- 三星電子將首次在美國泰勒晶圓廠推出“極紫外（EUV）薄膜”，這是一種提升先進(jìn)半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)力的關(guān)鍵組件。此前尚不清楚是否會引入，但通過訂購關(guān)鍵設(shè)備幾乎確認(rèn)了申請。根據(jù)22日的行業(yè)報道，三星電子已在美國德克薩斯州泰勒工廠訂購極紫外涂層設(shè)備。FST將收到價值250億韓元的極紫外膜剝離與附著設(shè)備及檢驗設(shè)備訂單。極紫外膜是安裝在光罩上的超薄保護(hù)元件，用于曝光過程。半導(dǎo)體將光體現(xiàn)在帶有預(yù)先繪制電路的光罩上，并被嵌入晶圓上。通過施加極紫外膜，可以防止細(xì)顆粒和污染物粘附光罩表面，從而減輕產(chǎn)率劣化。為了在暴露設(shè)備中使用極
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中國EUV技術(shù)實現(xiàn)突破，半導(dǎo)體競賽格局生變
- 隨著計算技術(shù)的進(jìn)步，越來越多的先進(jìn)芯片應(yīng)運而生。最新一代 3 納米和 2 納米制程芯片的尺寸極小，傳統(tǒng)光源波長已無法在如此精細(xì)的尺度上實現(xiàn)可靠的圖形光刻。這一挑戰(zhàn)并非新題 —— 半導(dǎo)體行業(yè)長期以來一直使用深紫外光刻（DUV）技術(shù)在硅片上進(jìn)行光刻加工。但要實現(xiàn)最先進(jìn)芯片設(shè)計的納米級精度，就需要波長更短的光源。這種光源及對應(yīng)的光刻技術(shù)被稱為極紫外光刻（EUV）。中國 EUV 原型機(jī)提前問世圖注：更短、更精準(zhǔn)、更纖?。杭夹g(shù)的巨大飛躍，蔡司（ZEISS）數(shù)據(jù)顯示，EUV 技術(shù)制造的結(jié)構(gòu)精度達(dá) 13.5 納米，比人
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據(jù)報道，中國利用較舊的ASML組件制造EUV原型機(jī)，Eyes 2028芯片制造
- 中國朝向國產(chǎn)紫外真空光刻能力的漫長進(jìn)程似乎正在縮小，近期發(fā)展顯示進(jìn)展速度超乎預(yù)期。據(jù)路透社報道，消息人士稱中國已組裝了一臺使用舊ASML系統(tǒng)組件的EUV原型機(jī)。正如報道所示，消息人士稱中國政府目標(biāo)是在2028年前生產(chǎn)使用該原型機(jī)的實用芯片，盡管2030年被視為更現(xiàn)實的目標(biāo)。原型機(jī)的存在表明，中國距離半導(dǎo)體自給自足可能比此前預(yù)期的更近數(shù)年。報道援引消息人士稱，原型機(jī)于2025年初完成，目前正在進(jìn)行測試。報告補充說，雖然該機(jī)器已運行并具備極紫外光的能力，但尚未生產(chǎn)出可工作的芯片。據(jù)報道，前ASML工程師參與了
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ASML CEO警告：過度封鎖或加速中國技術(shù)自主
- 全球光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）首席執(zhí)行官克里克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在專訪時，談到了被禁止向中國出口所有EUV設(shè)備及最先進(jìn)的深紫外（DUV）光刻設(shè)備，就當(dāng)前西方對華光刻機(jī)出口限制政策，拋出了一番充滿矛盾的“技術(shù)制衡論”，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。眼下，阿斯麥正面臨嚴(yán)苛的出口管制約束：被禁止向中國出口所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備，以及技術(shù)最先進(jìn)的深紫外（DUV）光刻設(shè)備。他重申其觀點，認(rèn)為“應(yīng)向中國適度輸出技術(shù)以防其自主研發(fā)形成競爭力”；同時，在他看來在對華技術(shù)出口限制問題上，西方
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